STGD5H60DF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGD5H60DF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GD5H60DF
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.9 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 10.8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 38 nC
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STGD5H60DF
STGD5H60DF Datasheet (PDF)
stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf
STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DFDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBTFeaturesTABTAB High-speed switching32311DPAK2 Tight parameter distributionD PAK Safe parallelingTAB Low thermal resistance Short-circuit rated3231 Ultrafast soft recovery antiparallel diode21TO-220TO-220FPAppl
stgd5nb120sz.pdf
STGD5NB120SZ5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping33211ApplicationsDPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballastDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH
Другие IGBT... STGB30H60DFB , STGP30H60DFB , STGB3HF60HD , STGD3HF60HDT4 , STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , FGH60N60SMD , STGF5H60DF , STGP5H60DF , STGB6NC60HDT4 , STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2