STGD5H60DF - аналоги и описание IGBT

 

STGD5H60DF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGD5H60DF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10.8 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STGD5H60DF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD5H60DF даташит

 ..1. Size:862K  st
 stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf pdf_icon

STGD5H60DF

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DF Datasheet Trench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBT Features TAB TAB High-speed switching 3 2 3 1 1 DPAK 2 Tight parameter distribution D PAK Safe paralleling TAB Low thermal resistance Short-circuit rated 3 2 3 1 Ultrafast soft recovery antiparallel diode 2 1 TO-220 TO-220FP Appl

 9.1. Size:395K  st
 stgd5nb120sz.pdf pdf_icon

STGD5H60DF

STGD5NB120SZ 5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping 3 3 2 1 1 Applications DPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballast Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH

Другие IGBT... STGB30H60DFB , STGP30H60DFB , STGB3HF60HD , STGD3HF60HDT4 , STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , RJP30H2A , STGF5H60DF , STGP5H60DF , STGB6NC60HDT4 , STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 .

History: NCE40TD120VTP | SME6G30US60 | MPBW30N120E | IXXH50N60B3 | JT075N065GHED | BG150B12UY3-I | NCE40TD60BP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.