STGD7NC60HT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD7NC60HT4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: GD7NC60H
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.75 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8.5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 81 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 35 nC
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STGD7NC60HT4 - IGBT
STGD7NC60HT4 Datasheet (PDF)
stgd7nc60ht4.pdf
STGD7NC60HT4 N-channel PowerMESH 600 V, 14 A very fast IGBT Datasheet - production data Features Order code V V max I CES CE(sat) CSTGD7NC60HT4 600 V
stgd7nc60h.pdf
STGP7NC60H - STGD7NC60HN-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60H 600 V
stgp7nc60h stgd7nc60h.pdf
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stgd7nb60s.pdf
STGD7NB60SN-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60S 600 V
stgd7nb60h.pdf
STGD7NB60HN-CHANNEL 7A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTD7NB60H 600 V
stgd7nb60h-1.pdf
STGD7NB60H-1N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60H-1 600 V
stgd7nb120s-1.pdf
STGD7NB120S-1N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAKPowerMESH IGBTPRELIMINARY DATATYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB120S-1 1200 V
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Liste
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