STGD7NC60HT4 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

STGD7NC60HT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGD7NC60HT4
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: GD7NC60H
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.75 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 35 nC
   Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STGD7NC60HT4

STGD7NC60HT4 Datasheet (PDF)

..1. Size:787K st
stgd7nc60ht4.pdf

STGD7NC60HT4 N-channel PowerMESH 600 V, 14 A very fast IGBT Datasheet - production data Features Order code V V max I CES CE(sat) CSTGD7NC60HT4 600 V

4.1. Size:350K st
stgd7nc60h.pdf

STGP7NC60H - STGD7NC60HN-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60H 600 V

4.2. Size:388K st
stgp7nc60h stgd7nc60h.pdf

STGP7NC60H - STGD7NC60HN-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60H 600 V

8.1. Size:194K st
stgd7nb60s.pdf