Справочник IGBT. STGD7NC60HT4

 

STGD7NC60HT4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGD7NC60HT4
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: GD7NC60H
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.75 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 35 nC
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STGD7NC60HT4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD7NC60HT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:787K  st
 stgd7nc60ht4.pdf pdf_icon

STGD7NC60HT4

STGD7NC60HT4 N-channel PowerMESH 600 V, 14 A very fast IGBT Datasheet - production data Features Order code V V max I CES CE(sat) CSTGD7NC60HT4 600 V

 4.1. Size:350K  st
 stgd7nc60h.pdf pdf_icon

STGD7NC60HT4

STGP7NC60H - STGD7NC60HN-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60H 600 V

 4.2. Size:388K  st
 stgp7nc60h stgd7nc60h.pdf pdf_icon

STGD7NC60HT4

STGP7NC60H - STGD7NC60HN-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60H 600 V

 8.1. Size:194K  st
 stgd7nb60s.pdf pdf_icon

STGD7NC60HT4

STGD7NB60SN-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60S 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.