STGF20M65DF2 Todos los transistores

 

STGF20M65DF2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGF20M65DF2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: G20M65DF2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 32.6 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10.8 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 63 nC
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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STGF20M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  st
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STGF20M65DF2

STGF20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, M series, 650 V, 20 A, low-loss IGBTFeatures High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameter distribution Safer paralleling32 Low thermal resistance1 Soft and very fast recovery antiparallel diodeTO-220FPC (2) Applications Motor control UPS PFCG (1)

 8.1. Size:281K  st
 stgf20nb60s.pdf pdf_icon

STGF20M65DF2

STGF20NB60SN-CHANNEL 13A - 600V TO-220FPPowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGF20NB60S 600 V

 8.2. Size:1853K  st
 stgf20h60df.pdf pdf_icon

STGF20M65DF2

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution3 Safe paralleling32211 Low thermal resistanceTO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTABApplications31 Motor contr

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