AFGB40T65SQDN IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFGB40T65SQDN
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 238 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 19.2 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Encapsulados: D2PAK
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AFGB40T65SQDN datasheet
afgb40t65sqdn.pdf
AFGB40T65SQDN IGBT for Automotive Applications, 650 V, 40 A, D2PAK Features Maximum Junction Temperature TJ = 175 C www.onsemi.com High Speed Switching Series VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 40 A BVCES VCE(sat) TYP IC MAX 100% of the Part are Dynamically Tested (Note 1) 650 V 1.6 V 160 A AEC-Q101 Qualified C These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant T
Otros transistores... STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB , STGYA120M65DF2AG , STGYA75H120DF2 , AFGB30T65SQDN , SGP30N60 , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ , AFGHL50T65SQD , AFGHL50T65SQDC , AFGHL75T65SQ , AFGHL75T65SQDC .
History: STGF30M65DF2
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