AFGB40T65SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFGB40T65SQDN
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 238 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 19.2 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 76 nC
Paquete / Cubierta: D2PAK
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AFGB40T65SQDN Datasheet (PDF)
afgb40t65sqdn.pdf
AFGB40T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications, 650 V, 40 A,D2PAKFeatures Maximum Junction Temperature: TJ = 175C www.onsemi.com High Speed Switching Series VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 40 A BVCES VCE(sat) TYP IC MAX 100% of the Part are Dynamically Tested (Note 1) 650 V 1.6 V 160 A AEC-Q101 QualifiedC These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantT
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Liste
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