AFGB40T65SQDN Todos los transistores

 

AFGB40T65SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFGB40T65SQDN
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 238 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 19.2 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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AFGB40T65SQDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  onsemi
 afgb40t65sqdn.pdf pdf_icon

AFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications, 650 V, 40 A,D2PAKFeatures Maximum Junction Temperature: TJ = 175C www.onsemi.com High Speed Switching Series VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 40 A BVCES VCE(sat) TYP IC MAX 100% of the Part are Dynamically Tested (Note 1) 650 V 1.6 V 160 A AEC-Q101 QualifiedC These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantT

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History: MMG50S170B6TC | MMG800K060U6EN | IXSP20N60B2 | STGWT40V60DLF | CM200RX-12A | NGTB30N65IHL2WG | VS-GP400TD60S

 

 
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