AFGB40T65SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFGB40T65SQDN
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 238
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 19.2
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 50
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 76
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de AFGB40T65SQDN - IGBT
AFGB40T65SQDN Datasheet (PDF)
afgb40t65sqdn.pdf
AFGB40T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications, 650 V, 40 A,D2PAKFeatures Maximum Junction Temperature: TJ = 175C www.onsemi.com High Speed Switching Series VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 40 A BVCES VCE(sat) TYP IC MAX 100% of the Part are Dynamically Tested (Note 1) 650 V 1.6 V 160 A AEC-Q101 QualifiedC These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantT
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Liste
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