IXGH17N100 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXGH17N100
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 34 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de IXGH17N100 - IGBT

IXGH17N100 Datasheet (PDF)

..1. Size:48K ixys
ixgh17n100.pdf

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AIC90 TC = 90C17 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C

0.1. Size:76K ixys
ixgh17n100u1.pdf

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXGH 17 N100U1 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT with Diode IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 VCombi PacksSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AG = Gate, C = Collector,IC90

0.2. Size:76K ixys
ixgh17n100au1.pdf