IXGH17N100 - аналоги и описание IGBT

 

IXGH17N100 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH17N100

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH17N100

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH17N100 даташит

 ..1. Size:48K  ixys
 ixgh17n100.pdf pdf_icon

IXGH17N100

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A IC90 TC = 90 C17 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C

 0.1. Size:76K  ixys
 ixgh17n100u1.pdf pdf_icon

IXGH17N100

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT with Diode IXGH 17 N100U1 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT with Diode IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 V Combi Packs Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A G = Gate, C = Collector, IC90

 0.2. Size:76K  ixys
 ixgh17n100au1.pdf pdf_icon

IXGH17N100

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT with Diode IXGH 17 N100U1 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT with Diode IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 V Combi Packs Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A G = Gate, C = Collector, IC90

 0.3. Size:48K  ixys
 ixgh17n100a.pdf pdf_icon

IXGH17N100

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A IC90 TC = 90 C17 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH12N60BD1 , IXGH12N60C , IXGH12N60CD1 , IXGH12N90C , IXGH15N120B , IXGH15N120BD1 , IXGH15N120C , IXGH15N120CD1 , RJP30H2A , IXGH17N100A , IXGH17N100AU1 , IXGH17N100U1 , IXGH20N100 , IXGH20N30 , IXGH20N30S , IXGH20N60B , IXGH20N60BD1 .

History: MID300-12A4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.