2SH18 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH18
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SH18 - IGBT
2SH18 Datasheet (PDF)
..1. Size:43K hitachi
2sh18.pdf
2sh18.pdf
ADE208291 (Z)2SH18Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO220ABHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate12. Collector233. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit
Otros transistores... 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , MGD623S , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2