AIGW40N65H5 Todos los transistores

 

AIGW40N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AIGW40N65H5
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 74 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.66 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 43 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

AIGW40N65H5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1787K  infineon
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AIGW40N65H5

AIGW40N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q EG Maximum junction temperature

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: VS-GT400TH120N | RGT8BM65D | APT15GT60BRG | FF150R12YT3 | IXGH48N60A3 | GT50L101

 

 
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