AIGW40N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AIGW40N65H5
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: AG40EH5
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 250
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 74
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.66
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 11
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 43
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 92
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de AIGW40N65H5 - IGBT
AIGW40N65H5 Datasheet (PDF)
aigw40n65h5.pdf
AIGW40N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q EG Maximum junction temperature
Otros transistores... NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , GT30J124 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT .
Liste
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