AIGW40N65H5 Todos los transistores

 

AIGW40N65H5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AIGW40N65H5

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 74 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.66 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 43 pF

Encapsulados: TO247

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AIGW40N65H5 datasheet

 ..1. Size:1787K  infineon
 aigw40n65h5.pdf pdf_icon

AIGW40N65H5

AIGW40N65H5 High speed switching series fifth generation High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits C High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q E G Maximum junction temperature

Otros transistores... NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , FGH40N60UFD , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT .

History: IXSR40N60BD1 | HIA30N140IH-DA | STGW100H65FB2-4 | SPF15N65T1T2TL | SGR5N60RUF | IXSH45N120B

 

 

 

 

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