AIGW40N65H5 Todos los transistores

 

AIGW40N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AIGW40N65H5
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: AG40EH5
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 74 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.66 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 43 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 92 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AIGW40N65H5 Datasheet (PDF)

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AIGW40N65H5

AIGW40N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q EG Maximum junction temperature

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: DIM400PHM17-A | 2MBI100N-120 | IXSX40N60CD1 | STGB18N40LZ | OM6526SA | SRE100N065FSU | BLG40T65FDL-W

 

 
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