AIKQ120N60CT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AIKQ120N60CT
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: AK120DCT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 833
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 160
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 43
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 446
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 772
Paquete / Cubierta: TO247
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AIKQ120N60CT Datasheet (PDF)
aikq120n60ct.pdf
AIKQ120N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Sho
aikq100n60ct.pdf
AIKQ100N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Sho
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Liste
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