DDB6U30N08VR Todos los transistores

 

DDB6U30N08VR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DDB6U30N08VR
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83.5 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 26 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

DDB6U30N08VR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  infineon
ddb6u30n08vr.pdf pdf_icon

DDB6U30N08VR

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDDB6U30N08VRIGBT-modulesDiode-Gleichrichter / diode-rectifier Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungT = 25C V 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.T = 80C I 30 Aforward current RMS maximum p

 9.1. Size:621K  infineon
ddb6u134n16rr-b11.pdf pdf_icon

DDB6U30N08VR

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulDDB6U134N16RR_B11IGBT-ModuleEconoPACK2 Modul mit Low Loss IGBT2 und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with Low Loss IGBT2 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC V = 1600VCESI = 134A / I = 268AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary

 9.2. Size:646K  infineon
ddb6u180n16rrp-b37.pdf pdf_icon

DDB6U30N08VR

DDB6U180N16RRP_B37EconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /pre-applied Thermal Interface Material V = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications

 9.3. Size:418K  infineon
ddb6u75n16w1r.pdf pdf_icon

DDB6U30N08VR

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDDB6U75N16W1RIGBT-modulesVorlufige DatenDiode, Gleichrichter / Diode, Rectifier Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesPeriodische SpitzensperrspannungT = 25C V 1600 Vvj RRMRepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro ChipT = 100C I 65 AC FRMSMMaximum RMS forw

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AOB30B65LN2V | MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1

 

 
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