IXGH22N50C Todos los transistores

 

IXGH22N50C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH22N50C
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 44 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 117 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 55 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGH22N50C Datasheet (PDF)

 5.1. Size:195K  ixys
 ixgh22n50b.pdf pdf_icon

IXGH22N50C

 5.2. Size:547K  ixys
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IXGH22N50C

 7.1. Size:56K  ixys
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IXGH22N50C

Advance Technical DataHigh Voltage IXGH 22N170 VCES = 1700 VIXGT 22N170 IC25 = 40 AIGBTVCE(sat) = 3.3 Vtfi(typ) = 290 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C44 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C22 AICM TC

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History: IXGP12N120A2 | IXGH22N50BU1

 

 
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