IXGH22N50C IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGH22N50C
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 117 pF
Encapsulados: TO247
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IXGH22N50C datasheet
ixgh22n170.pdf
Advance Technical Data High Voltage IXGH 22N170 VCES = 1700 V IXGT 22N170 IC25 = 40 A IGBT VCE(sat) = 3.3 V tfi(typ) = 290 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C44 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C22 A ICM TC
Otros transistores... IXGH17N100U1 , IXGH20N100 , IXGH20N30 , IXGH20N30S , IXGH20N60B , IXGH20N60BD1 , IXGH22N50B , IXGH22N50BU1 , GT30F126 , IXGH24N50B , IXGH24N50BU1 , IXGH24N60B , IXGH24N60BU1 , IXGH24N60C , IXGH24N60CD1 , IXGH25N100 , IXGH25N100A .
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