DF1000R17IE4D-B2 Todos los transistores

 

DF1000R17IE4D-B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF1000R17IE4D-B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1390 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF1000R17IE4D-B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:680K  infineon
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DF1000R17IE4D-B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hilfsumr

 1.1. Size:876K  infineon
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DF1000R17IE4D-B2

/ Technical InformationIGBT-DF1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 and NTCPrimePACK3 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

 2.1. Size:571K  infineon
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DF1000R17IE4D-B2

DF1000R17IE4PrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter

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History: IXGH40N60B2D1 | APT50GF60AR | IXA12IF1200PC | NGTB35N60FL2WG | IXYT30N450HV | MMG35CB120X6TC | APT25GP90BG

 

 
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