DF300R12KE3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF300R12KE3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1470 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 480 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Encapsulados: MODULE
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DF300R12KE3 datasheet
df300r12ke3.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module DF300R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 300 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 480 A Periodischer Kollektor Spitzenst
df300r12ke3.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module DF300R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 300 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 480 A Periodischer Kollektor Spitzenst
df300r07pe4 b6.pdf
/ Technical Information IGBT- DF300R07PE4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 / IGBT4 NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typical Applications
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History: IXXK200N65B4 | IXXK300N60B3
History: IXXK200N65B4 | IXXK300N60B3
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