F3L100R12W2H3-B11 Todos los transistores

 

F3L100R12W2H3-B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F3L100R12W2H3-B11
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.45 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 800 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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F3L100R12W2H3-B11 Datasheet (PDF)

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F3L100R12W2H3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L100R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-

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F3L100R12W2H3-B11

/ Technical InformationIGBT-F3L100R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200VCESI = 50A

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F3L100R12W2H3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L100R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

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F3L100R12W2H3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L100R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

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History: IGW40N120H3 | IXSH45N120 | BSM200GAR120DN2 | AP50GT60SW-HF | VS-GT140DA60U

 

 
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