F3L100R12W2H3-B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L100R12W2H3-B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.45 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 800 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L100R12W2H3-B11 - IGBT
F3L100R12W2H3-B11 Datasheet (PDF)
f3l100r12w2h3-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L100R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-
f3l100r12w2h3 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L100R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200VCESI = 50A
f3l100r07w2e3 b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L100R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typic
f3l100r07w2e3-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L100R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typic
Otros transistores... DF150R12RT4 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , IKW30N60H3 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2