FB20R06W1E3-B11 Todos los transistores

 

FB20R06W1E3-B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FB20R06W1E3-B11

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 94 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS

Encapsulados: MODULE

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FB20R06W1E3-B11 datasheet

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FB20R06W1E3-B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters

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FB20R06W1E3-B11

/ Technical Information IGBT- FB20R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPIM / IGBT3 NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typical Applications Auxiliar

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FB20R06W1E3-B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06W1E3 IGBT-modules EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfs

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History: IXXK160N65B4 | IXXK300N60B3 | IXXK200N65B4 | OST40N65HXF | OST50N65HF | OST40N65KMF

 

 

 

 

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