IGZ100N65H5 Todos los transistores

 

IGZ100N65H5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IGZ100N65H5

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 536 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 161 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 9 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 97 pF

Encapsulados: TO247-4

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IGZ100N65H5 datasheet

 ..1. Size:1944K  infineon
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IGZ100N65H5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology IGZ100N65H5 650V IGBT high speed series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IGZ100N65H5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin in combination with TRENCHSTOP

Otros transistores... IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , GT30F133 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 .

History: IKD06N60RF | IRG7PH35UD1-EP | MIXA150Q1200VA | IKFW50N65DH5

 

 

 

 

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