IGZ100N65H5 Todos los transistores

 

IGZ100N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGZ100N65H5
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 536 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 161 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 9 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 97 pF
   Paquete / Cubierta: TO247-4
     - Selección de transistores por parámetros

 

IGZ100N65H5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1944K  infineon
 igz100n65h5.pdf pdf_icon

IGZ100N65H5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ100N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ100N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOP

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History: MMG75WD120XB6T4N | MMG400D120UA6TC | DAHF100G120SA

 

 
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