IGZ100N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGZ100N65H5
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: G100EH5
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 536 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 161 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 9 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 97 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 210 nC
Paquete / Cubierta: TO247-4
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IGZ100N65H5 Datasheet (PDF)
igz100n65h5.pdf
IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ100N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ100N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOP
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Liste
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