IGZ75N65H5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGZ75N65H5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 119 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 75 pF
Encapsulados: TO247-4
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IGZ75N65H5 datasheet
igz75n65h5.pdf
IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology IGZ75N65H5 650V IGBT high speed series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IGZ75N65H5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin in combination with TRENCHSTOPTM
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