Справочник IGBT. IGZ75N65H5

 

IGZ75N65H5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGZ75N65H5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 119 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для IGZ75N65H5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGZ75N65H5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1937K  infineon
 igz75n65h5.pdf pdf_icon

IGZ75N65H5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ75N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ75N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOPTM

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IHW30N135R5 | NGTG15N60S1EG | MKI100-12E8 | IXGA24N60C | ISL9V3040D3S | DIM600DDM17-A | IRG4PC30FD

 

 
Back to Top

 


 
.