Справочник IGBT. IGZ75N65H5

 

IGZ75N65H5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGZ75N65H5
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G75EH5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 119
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 11
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 75
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 166
   Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для IGZ75N65H5

 

 

IGZ75N65H5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1937K  infineon
 igz75n65h5.pdf

IGZ75N65H5 IGZ75N65H5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ75N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ75N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOPTM

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top