IKFW90N60EH3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKFW90N60EH3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K90DEH3
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 178 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 77 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 215 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 440 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
IKFW90N60EH3 Datasheet (PDF)
ikfw90n60eh3.pdf
IKFW90N60EH3TRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast
ikfw90n65es5.pdf
IKFW90N65ES5TRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltage
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Liste
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