IKW50N60DTP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IKW50N60DTP  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 319.2 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 109 pF

Encapsulados: TO247

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IKW50N60DTP datasheet

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IKW50N60DTP

IGBT TRENCHSTOP Performance technology copacked with RAPID 1 fast anti-parallel diode IKW50N60DTP 600V DuoPack IGBT and diode TRENCHSTOPTM Performance series Data sheet Industrial Power Control IKW50N60DTP TRENCHSTOPTM Performance Series High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology C Features TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low turn-off losse

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IKW50N60DTP

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IKW50N60DTP

AIKW50N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor

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