IKW50N60DTP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKW50N60DTP  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 319.2 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 109 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKW50N60DTP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKW50N60DTP даташит

 ..1. Size:1551K  infineon
 ikw50n60dtp.pdf pdf_icon

IKW50N60DTP

IGBT TRENCHSTOP Performance technology copacked with RAPID 1 fast anti-parallel diode IKW50N60DTP 600V DuoPack IGBT and diode TRENCHSTOPTM Performance series Data sheet Industrial Power Control IKW50N60DTP TRENCHSTOPTM Performance Series High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology C Features TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low turn-off losse

 6.1. Size:2179K  infineon
 ikw50n60h3.pdf pdf_icon

IKW50N60DTP

 6.2. Size:1971K  infineon
 aikw50n60ct.pdf pdf_icon

IKW50N60DTP

AIKW50N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor

 6.3. Size:1642K  infineon
 ikw50n60h3 rev1 1g.pdf pdf_icon

IKW50N60DTP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKQ75N120CS6, IKQ75N120CT2, IKW15N120BH6, IKW30N60DTP, IKW30N65ES5, IKW40N120CS6, IKW40N60DTP, IKW40N65ES5, G50T65D, IKW50N65EH5, IKW75N60H333, IKW75N65EH5, IKW75N65ES5, IKY40N120CH3, IKY40N120CS6, IKY50N120CH3, IKY75N120CH3