DGF15N60CTL Todos los transistores

 

DGF15N60CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DGF15N60CTL
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 31 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 52 nC
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

DGF15N60CTL Datasheet (PDF)

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DGF15N60CTL

RoHS DGF15N60CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 600 V CEI 15 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 15 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,

 0.1. Size:461K  cn yangzhou yangjie elec
 dgf15n60ctl0.pdf pdf_icon

DGF15N60CTL

RoHS DGF15N60CTL0 COMPLIANT IGBT Discrete V 600 V CEI 15 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 15 Applications Circuit Soft switching applications Air conditioning Motor drive inverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness

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History: IGP10N60T | IGP50N60T | DIM1600ECM17-A

 

 
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