DGW15N65CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGW15N65CTL
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
Paquete / Cubierta: TO247
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DGW15N65CTL Datasheet (PDF)
dgw15n65ctl.pdf
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dgw15n120ctl.pdf
RoHS DGW15N120CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 1200 V CEI 15 A CV I =15A 1.85 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof
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