Справочник IGBT. DGW15N65CTL

 

DGW15N65CTL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW15N65CTL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DGW15N65CTL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGW15N65CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw15n65ctl.pdf pdf_icon

DGW15N65CTL

DGW15N65CTL RoHS COMPLIANT IGBT Descrete V 650 V CEI 15 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 15 Applications Circuit Soft switchingapplications Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness, temp

 8.1. Size:457K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw15n120ctl.pdf pdf_icon

DGW15N65CTL

RoHS DGW15N120CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 1200 V CEI 15 A CV I =15A 1.85 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGT16N170A

 

 
Back to Top

 


 
.