DGW15N65CTL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGW15N65CTL  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGW15N65CTL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGW15N65CTL даташит

 ..1. Size:453K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw15n65ctl.pdf pdf_icon

DGW15N65CTL

DGW15N65CTL RoHS COMPLIANT IGBT Descrete V 650 V CE I 15 A C V I = A 1.65 V CE(SAT) C 15 Applications Circuit Soft switchingapplications Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness, temp

 8.1. Size:457K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw15n120ctl.pdf pdf_icon

DGW15N65CTL

RoHS DGW15N120CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 1200 V CE I 15 A C V I =15A 1.85 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof

Другие IGBT... DGF15N60CTL, DGF15N60CTL0, DGP10N60CTL, DGP10N65CTL, DGP15N60CTL, DGP15N65CTL, DGW10N120CTL, DGW15N120CTL, GT30G122, DGW20N60CTL, DGW20N65CTL, DGW25N120CTL, DGW30N65BTH, DGW30N65CTH, DGW30N65CTL, DGW40N120CTH, DGW40N120CTH0