DGW20N60CTL Todos los transistores

 

DGW20N60CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DGW20N60CTL
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 166 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 52 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DGW20N60CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw20n60ctl.pdf pdf_icon

DGW20N60CTL

RoHS DGW20N60CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 600 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature

 7.1. Size:478K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw20n65ctl.pdf pdf_icon

DGW20N60CTL

RoHS DGW20N65CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 650 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature

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History: HGT1S20N60C3R | HGT1S20N60C3RS | SGB20N60

 

 
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