Справочник IGBT. DGW20N60CTL

 

DGW20N60CTL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW20N60CTL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DGW20N60CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw20n60ctl.pdf pdf_icon

DGW20N60CTL

RoHS DGW20N60CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 600 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature

 7.1. Size:478K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw20n65ctl.pdf pdf_icon

DGW20N60CTL

RoHS DGW20N65CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 650 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature

Другие IGBT... DGF15N60CTL0 , DGP10N60CTL , DGP10N65CTL , DGP15N60CTL , DGP15N65CTL , DGW10N120CTL , DGW15N120CTL , DGW15N65CTL , IHW20N120R2 , DGW20N65CTL , DGW25N120CTL , DGW30N65BTH , DGW30N65CTH , DGW30N65CTL , DGW40N120CTH , DGW40N120CTH0 , DGW40N120CTL .

History: MWI25-12A7

 

 
Back to Top

 


 
.