DGW20N60CTL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DGW20N60CTL
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для DGW20N60CTL
DGW20N60CTL Datasheet (PDF)
dgw20n60ctl.pdf

RoHS DGW20N60CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 600 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature
dgw20n65ctl.pdf

RoHS DGW20N65CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 650 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383