DGW20N65CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGW20N65CTL
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 166
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 56
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 52
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DGW20N65CTL - IGBT
DGW20N65CTL Datasheet (PDF)
dgw20n65ctl.pdf
RoHS DGW20N65CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 650 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature
dgw20n60ctl.pdf
RoHS DGW20N60CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 600 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature
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Liste
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