DGW20N65CTL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: DGW20N65CTL

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 166

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 20

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 56

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 52

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DGW20N65CTL

DGW20N65CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw20n65ctl.pdf

RoHS DGW20N65CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 650 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature

 7.1. Size:478K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw20n60ctl.pdf

RoHS DGW20N60CTL COMPLIANT IGBT Modules IGBT Descrete V 600 V CEI 20 A CV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Applications Inverter for motor drive Circuit AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , TGAN20N135FD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .