2SH21 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH21
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
2SH21 Datasheet (PDF)
2sh21.pdf

ADE208294 (Z)2SH21Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO3PHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate2. Collector132 3. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit
Otros transistores... 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , GT30F132 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 .
History: 7MBR150VN120-50 | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | IRGS4607D | 2MBI150VA-120-50 | 2MBI150PC-140 | SKM50GAL12T4
History: 7MBR150VN120-50 | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | IRGS4607D | 2MBI150VA-120-50 | 2MBI150PC-140 | SKM50GAL12T4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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