2SH21 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SH21  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS

Encapsulados: TO3P

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2SH21 datasheet

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2SH21

ADE 208 294 (Z) 2SH21 Silicon N-Channel IGBT 1st. Edition Feb. 1995 Application TO 3P High speed power switching Features 2 High speed switching Low on saturation voltage 1 1. Gate 2. Collector 1 3 2 3. Emitter 3 Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit

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