JNG80T60LS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JNG80T60LS
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 548 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 470 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 300 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de JNG80T60LS - IGBT
JNG80T60LS Datasheet (PDF)
jng80t60ls.pdf
JNG80T60LS IGBT Features 600V,80A V = 1.55V@V = 15V,I = 80A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as induction heatingUPS, AC & DC motor controls and general purpose inverter . Abso
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