JNG80T60LS Todos los transistores

 

JNG80T60LS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JNG80T60LS
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 548 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 470 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

JNG80T60LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jiaensemi
 jng80t60ls.pdf pdf_icon

JNG80T60LS

JNG80T60LS IGBT Features 600V,80A V = 1.55V@V = 15V,I = 80A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as induction heatingUPS, AC & DC motor controls and general purpose inverter . Abso

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IQGB300N120GA4 | SKM100GAL12T4 | SL20T65FL | FF100R12RT4 | SGTP50V60FD2PF | MMG75HB120H6HN

 

 
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