JNG80T60LS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG80T60LS

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 500

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.55

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 548

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 470

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 300

Paquete / Cubierta: TO264

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JNG80T60LS Datasheet (PDF)

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JNG80T60LS IGBT Features 600V,80A V = 1.55V@V = 15V,I = 80A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as induction heatingUPS, AC & DC motor controls and general purpose inverter . Abso

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