JNG8T60FT1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JNG8T60FT1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 56
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 16
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 23
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 63
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 32
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JNG8T60FT1 - IGBT
JNG8T60FT1 Datasheet (PDF)
jng8t60ft1.pdf
JNG8T60FT1 IGBT Features 600V,8A V =1.75V@V =15V,I =8A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching and higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Trench IGBT technology Applications UPS General inverter Air condition and others home applications Absolute Maximum RatingsTJ = 25 C unless otherwise noted Symbol Paramete
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Liste
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