JNG8T60FT1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG8T60FT1

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 56

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 16

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 23

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 63

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 32

Paquete / Cubierta: TO252

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JNG8T60FT1 Datasheet (PDF)

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JNG8T60FT1 IGBT Features 600V,8A V =1.75V@V =15V,I =8A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching and higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Trench IGBT technology Applications UPS General inverter Air condition and others home applications Absolute Maximum RatingsTJ = 25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

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