SRE160N065FSUD8 Todos los transistores

 

SRE160N065FSUD8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRE160N065FSUD8
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 882 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 240 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.46 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 585 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 356 nC
   Paquete / Cubierta: TO247PLUS
     - Selección de transistores por parámetros

 

SRE160N065FSUD8 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1034K  sanrise-tech
 sre160n065fsud8.pdf pdf_icon

SRE160N065FSUD8

Preliminary Datasheet 160A 650V Trench Fieldstop IGBT with FRD SRE160N065FSUD8 General Description Symbol The SRE160N065FSUD8 is a Field Stop Trench IGBT with anti-parallel diode, which offers ultra low conduction loss, high energy efficiency for switching applications such as Inverter, Driver, Converter, etc. The SRE160N065FSUD8 package is TO-247Plus. Features Figure 1 Sy

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History: IXSN35N120AU1 | 2MBI150U2A-060 | IXGH28N90B | IRG4BC30F | OM6526SA | IXSK40N60CD1

 

 
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