2SH22 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH22
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 700 nS
Paquete / Cubierta: TO3PL
Búsqueda de reemplazo de 2SH22 - IGBT
2SH22 Datasheet (PDF)
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ADE208295 (Z)2SH22Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO3PLHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate32. Collector13. Emitter23Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit
Otros transistores... 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , GT30F125 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2