CRG40T120BK3S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG40T120BK3S
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 278 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47.5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 131 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 208 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
CRG40T120BK3S Datasheet (PDF)
crg40t120bk3s.pdf

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3SVCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;TO-247
crg40t120bk3sd.pdf

CRG40T120BK3SD CRG40T120BK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V TO-247
crg40t120ak3sd.pdf

CRG40T120AK3SD CRG40T120AK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 333 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247
crg40t120ak3s.pdf

CRG40T120AK3S CRG40T120AK3S VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: SRE80N065FSUD8
History: SRE80N065FSUD8



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor