CRG40T120BK3S - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги CRG40T120BK3S. Основные параметры


   Наименование: CRG40T120BK3S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CRG40T120BK3S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG40T120BK3S даташит

 ..1. Size:1273K  crhj
crg40t120bk3s.pdfpdf_icon

CRG40T120BK3S

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3S VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247

 0.1. Size:1015K  crhj
crg40t120bk3sd.pdfpdf_icon

CRG40T120BK3S

 5.1. Size:1476K  crhj
crg40t120ak3sd.pdfpdf_icon

CRG40T120BK3S

 5.2. Size:1512K  crhj
crg40t120ak3s.pdfpdf_icon

CRG40T120BK3S

Другие IGBT... SRE80N065FSU , SRE80N065FSU2 , SRE80N065FSU2DB , SRE80N065FSUD6 , SRE80N065FSUD8 , OST80N65HMF , HCKW75N65GH2 , HCKZ75N65GH2 , IHW20N120R3 , GT30G122 , IGW40T60 , IGW40T60K , IKW75N60TA , IGW40N60TP , IXSM35N100A , IXSM40N60 , GT45F122 .

History: GT30F132 | IRGPS40B120U

 

 

 


 
↑ Back to Top
.