Справочник IGBT. CRG40T120BK3S

 

CRG40T120BK3S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG40T120BK3S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 278
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 47.5
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 131
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 208
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG40T120BK3S

 

 

CRG40T120BK3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1273K  crhj
crg40t120bk3s.pdf

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3S

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3SVCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;TO-247

 0.1. Size:1015K  crhj
crg40t120bk3sd.pdf

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3S

CRG40T120BK3SD CRG40T120BK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V TO-247

 5.1. Size:1476K  crhj
crg40t120ak3sd.pdf

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3S

CRG40T120AK3SD CRG40T120AK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 333 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247

 5.2. Size:1512K  crhj
crg40t120ak3s.pdf

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3S

CRG40T120AK3S CRG40T120AK3S VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247

 5.3. Size:1472K  wuxi china
crg40t120ak3sd.pdf

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3S

Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3SD General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

 5.4. Size:1470K  wuxi china
crg40t120ak3s.pdf

CRG40T120BK3S CRG40T120BK3S

Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top