IXSM35N100A Todos los transistores

 

IXSM35N100A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSM35N100A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 325 pF
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IXSM35N100A PDF specs

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IXSM35N100A

High speed IGBT IXSH 35N100A VCES = 1000 V IXSM 35N100A IC25 = 70 A VCE(sat) = 3.5 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC90 TC = 90 C35 A TO-204 AE (IXSM) ICM TC = 25 C, 1 ms 140 A ... See More ⇒

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IXSM35N100A

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