IXSM35N100A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSM35N100A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 300
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1000
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 70
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 3.5(max)
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 150
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 325
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 180
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de IXSM35N100A - IGBT
IXSM35N100A Datasheet (PDF)
ixsm35n100a.pdf
High speed IGBT IXSH 35N100A VCES = 1000 VIXSM 35N100A IC25 = 70 AVCE(sat) = 3.5 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC90 TC = 90C35 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 140 A
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Liste
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