GT45F122 Todos los transistores

GT45F122 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT45F122

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7(max) V @25℃

Encapsulados: TO220F

- Selección ⓘ de transistores por parámetros