GT45F122 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT45F122  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT45F122

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT45F122 даташит

No data!

Другие IGBT... CRG40T120BK3S, GT30G122, IGW40T60, IGW40T60K, IKW75N60TA, IGW40N60TP, IXSM35N100A, IXSM40N60, IRG7R313U, GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA