GT30F122 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT30F122
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
GT30F122 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA , HIA50N65IH-JA , HIA20N140IH-DA , CRG40T60AK3HD , SG40T120DB , SG60T120UDB3 , SGT60U65FD1PN , SGT60U65FD1PT , OST120N65H4SMF , OST120N65H4UMF , OST120N65H5SMF , OST120N65HEMF .
Liste
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