GT30F122 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT30F122  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9(max) V @25℃

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT30F122

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30F122 даташит

No data!

Другие IGBT... HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA, HIA50N65IH-JA, HIA20N140IH-DA, CRG75T65AK5HD, SG40T120DB, SG60T120UDB3, SGT60U65FD1PN, SGT60U65FD1PT, OST120N65H4SMF, OST120N65H4UMF, OST120N65H5SMF, OST120N65HEMF