OST25N65FMF Todos los transistores

 

OST25N65FMF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OST25N65FMF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 62 pF

Encapsulados: TO220F

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OST25N65FMF datasheet

 ..1. Size:687K  oriental semi
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OST25N65FMF

OST25N65FMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65FMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 6.1. Size:815K  oriental semi
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OST25N65FMF

OST25N65PMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65PMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

Otros transistores... OST120N65H5SMF , OST120N65HEMF , OST15N65DRF , OST15N65FRF , OST15N65KRF , OST15N65PRF , OST160N65H5MF , OST20N135HRF , IRG4PC50W , OST25N65PMF , OST30N65HMF , OST30N65KTXF , OST40N120HEMF , OST40N120HMF , OST40N65HEMF , OST40N65HMF , OST40N65HXF .

History: F3L300R12ME4_B23

 

 

 

 

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