OST25N65FMF - аналоги и описание IGBT

 

OST25N65FMF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: OST25N65FMF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OST25N65FMF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST25N65FMF даташит

 ..1. Size:687K  oriental semi
 ost25n65fmf.pdf pdf_icon

OST25N65FMF

OST25N65FMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65FMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 6.1. Size:815K  oriental semi
 ost25n65pmf.pdf pdf_icon

OST25N65FMF

OST25N65PMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65PMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

Другие IGBT... OST120N65H5SMF , OST120N65HEMF , OST15N65DRF , OST15N65FRF , OST15N65KRF , OST15N65PRF , OST160N65H5MF , OST20N135HRF , IRG4PC50W , OST25N65PMF , OST30N65HMF , OST30N65KTXF , OST40N120HEMF , OST40N120HMF , OST40N65HEMF , OST40N65HMF , OST40N65HXF .

History: OST30N65HMF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.