Справочник IGBT. OST25N65FMF

 

OST25N65FMF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST25N65FMF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для OST25N65FMF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST25N65FMF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  oriental semi
 ost25n65fmf.pdf pdf_icon

OST25N65FMF

OST25N65FMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65FMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 6.1. Size:815K  oriental semi
 ost25n65pmf.pdf pdf_icon

OST25N65FMF

OST25N65PMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65PMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IGB15N65S5 | IHW40N65R5 | IXGN50N120C3H1 | NGTB40N135IHR | MMG50J120UZ | MMG200DR060B

 

 
Back to Top

 


 
.