2SH26 Todos los transistores

 

2SH26 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SH26
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SH26 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  hitachi
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2SH26

2SH26Silicon N Channel IGBTHigh Speed Power SwitchingADE-208-788A(Z)2nd. EditionMay 1999Features High speed switching Low on-voltageOutlineTO220ABCG121. GateE32. Collector (Flange)3. Emitter2SH26Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item Symbol Ratings UnitCollector to Emitter voltage VCES 600 VGate to Emitter voltage VGES 20 VColle

Otros transistores... 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , IRG4PC50U , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L .

History: MMG200DR120DE | IXBF20N300 | 1MBH30D-060 | MSG15T120FPE | IRG4BC30F | IXSN35N120AU1

 

 
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