OST90N60HCZF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OST90N60HCZF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 126 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 5620 pF

Encapsulados: TO247

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OST90N60HCZF datasheet

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OST90N60HCZF

OST90N60HCZF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST90N60HCZF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 7.1. Size:785K  oriental semi
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OST90N60HCZF

OST90N65HM2F Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST90N65HM2F uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

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