OSC80N65HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSC80N65HF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 114 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2978 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 179 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de OSC80N65HF - IGBT
OSC80N65HF Datasheet (PDF)
osc80n65hf.pdf
OSC80N65HF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OSC80N65HF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technology
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Liste
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