OSC80N65HF Todos los transistores

 

OSC80N65HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSC80N65HF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 114 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2978 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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OSC80N65HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  oriental semi
 osc80n65hf.pdf pdf_icon

OSC80N65HF

OSC80N65HF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OSC80N65HF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technology

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History: IHW20N120R3 | GT30F133

 

 
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