OSC80N65HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSC80N65HF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 250
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 114
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 112
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 2978
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 179
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de OSC80N65HF - IGBT
OSC80N65HF Datasheet (PDF)
osc80n65hf.pdf
OSC80N65HF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OSC80N65HF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technology
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Liste
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