SGT15U65SD1F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT15U65SD1F
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 42 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 49 pF
Paquete / Cubierta: TO220F
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SGT15U65SD1F Datasheet (PDF)
sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf
SGT15U65SD1F(FD) 15A650V C 2SGT15U65SD1F(FD) 4 1GPlusField Stop IV+ UPSSMPS PFC 3 E 15A650VVCE(sat)( )=1.6V@IC
sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf
SGT15T60SD1T/F/S 15A600V C2SGT15T60SD1T/F/S 1Field Stop IIIG UPS,SMPS PFC 133 TO-263-2L E 15A600VVCE
sgt15t60qd1f.pdf
SGT15T60QD1F 15A600V C 2SGT15T60QD1F Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3E 15A600VVCE(sat)( )=1.9V@IC=15A 123
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Liste
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