SGT20T60SD1S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT20T60SD1S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 178
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 55
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 55
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SGT20T60SD1S - IGBT
SGT20T60SD1S Datasheet (PDF)
sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf
SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A600V C 21SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)GField Stop III1 UPSSMPS PFC 323TO-3PE 13
sgt20t60sdm1p7.pdf
SGT20T60SDM1P7 20600V C2SGT20T60SDM1P7 Field Stop1G UPSSMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=1.7V@IC=20A
sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf
SGT20T135QR1P7(PN)(PT) 20A1350V C 2SGT20T135QR1P7/PN/PT 1Reverse ConductingG
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Liste
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