SGT20T60SD1FD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT20T60SD1FD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 46 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF
Encapsulados: TO220F
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SGT20T60SD1FD datasheet
sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf
SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A 600V C 2 1 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) G Field Stop III 1 UPS SMPS PFC 3 2 3 TO-3P E 1 3
sgt20t60sdm1p7.pdf
SGT20T60SDM1P7 20 600V C 2 SGT20T60SDM1P7 Field Stop 1 G UPS SMPS PFC 3 E 20A 600V VCE(sat)( )=1.7V@IC=20A
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History: SGT40T120SDB4P7
History: SGT40T120SDB4P7
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