SGT20T60SD1FD - аналоги и описание IGBT

 

SGT20T60SD1FD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGT20T60SD1FD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SGT20T60SD1FD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT20T60SD1FD даташит

 ..1. Size:412K  silan
 sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf pdf_icon

SGT20T60SD1FD

SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A 600V C 2 1 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) G Field Stop III 1 UPS SMPS PFC 3 2 3 TO-3P E 1 3

 4.1. Size:519K  silan
 sgt20t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT20T60SD1FD

SGT20T60SDM1P7 20 600V C 2 SGT20T60SDM1P7 Field Stop 1 G UPS SMPS PFC 3 E 20A 600V VCE(sat)( )=1.7V@IC=20A

 8.1. Size:329K  silan
 sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf pdf_icon

SGT20T60SD1FD

Другие IGBT... SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 , YGW60N65F1A1 , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , SGT30T60SDM1P7 , SGT30T60SD3PU , SGT40N60F2P7 , SGT40N60FD1P7 , SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 .

History: MSG50T65FHC | MSG50N350HLC0 | MSG40T65FL | MSG75T65FQC | NCE100ED75VT | SGT40U120FD1P7 | MSG80N350FH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.